Приветствую Вас Гость
Понедельник
17.02.2020
12:12

Космопорт "Nefelana"

Форма входа
Логин:
Пароль:
Поиск
Календарь
Архив записей
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Ужасно
5. Плохо
Всего ответов: 538
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Статистика

    Онлайн всего: 3
    Гостей: 3
    Пользователей: 0

    Large Visitor Globe
    Главная » 2009 » Декабрь » 25 » Японцы создали органическую флеш-память
    Японцы создали органическую флеш-память
    22:52
     
     
     
    Новая органическая гибкая флеш-память стоит дешевле обычной кремниевой. Она пригодилась бы в создании таких устройств будущего, как сенсоры и экраны с большой площадью, электронная бумага, актуаторы со встроенной памятью (фото Science/AAAS).

    Энергонезависимую органическую память разработали специалисты Токийского университета (University of Tokyo).
     
    Базовая структура новинки повторяет строение обычной флеш-памяти, но сделана она из гибкого органического материала.

     
    Обычная флеш-память хранит информацию на кремниевых транзисторах. Широкое распространение она получила благодаря тому, что данные можно записать и считать быстро, при этом вся информация сохраняется на носителе даже при выключенном питании. Сейчас такими чипами оборудованы портативные видеокамеры и MP3-плееры, карты памяти, не говоря уже о вездесущих USB-накопителях.

    Группа профессора Такао Сомеи (Takao Someya) решила построить органический аналог флеш-памяти. В устройстве на подложке из полиэтилен-нафталата (PEN) расположился массив ячеек памяти (26 x 26 штук).

    Подложка настолько гибкая, что может быть согнута до шестимиллиметрового радиуса, при этом не возникает никаких механических или электрических помех, пишут учёные в статье в журнале Science.

    Устройство называется "органической флеш-памятью", потому что основано на транзисторах с плавающим затвором (floating-gate transistor), тем же типом, что используется в кремниевой флеш-памяти.

    Плавающий затвор (FG) отделён от всех остальных частей транзистора непроводящим материалом, который изолирует FG и позволяет ему сохранять заряд, а значит, и данные: в кремниевых устройствах – на годы. При приложении высокого напряжения электрический заряд "записывается" на FG и остаётся там, пока не прикладывается напряжение противоположной полярности (заряд "стирается").

    Сомея отмечает, что основное препятствие на пути инженеров, желающих создать органический аналог флеш-памяти, — необходимость подобрать подходящий изолирующий материал. С одной стороны, его слой должен быть достаточно тонким, чтобы пропустить заряд к плавающему затвору, с другой – он не должен плавиться при сборке изделия.
     
    Новая гибкая флеш-память была оборудована резиновыми датчиками давления, передающими информацию соответствующим ячейкам памяти. На графиках справа показаны отпечатки, оставленные роликом липкой ленты и пальцами (в середине –
    спустя 20 минут, справа – спустя 12 часов). Видно, что сохранённые данные постепенно "деградируют" (фото Science/AAAS).


    Японцы в качестве диэлектрического затвора использовали самоорганизующийся монослой (SAM) толщиной 2 нанометра и слой оксида алюминия толщиной 4 нм (последний образовывался при окислении поверхности алюминиевого плавающего затвора).

    Чтобы стереть данные, необходимо приложить напряжение 6 вольт, чтобы считать – 1 В. Эти значения ниже параметров, полученных ранее, что является несомненным достоинством новинки.

    Количество поддерживаемых циклов записи-перезаписи памяти составляет около 1000, что значительно ниже обычных для кремниевых аналогов 100 тысяч. Ещё одним недостатком органической флеш-памяти является короткий срок хранения данных – всего 24 часа. Однако японские учёные собираются продлить его, использовав SAM с более длинными молекулами, а также уменьшив размеры самих транзисторов.

    Кстати, группа Сомеи известна читателям Membrana по разработке ультракомпактного сканера и электронной кожи для роботов, ощущающей давление и температуру.

     
    Источник: Technology Review
    Просмотров: 388 | Добавил: Nefelana |
    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]