Приветствую Вас Гость
Суббота
16.11.2024
06:26

Космопорт "Nefelana"

Форма входа
Поиск
Календарь
«  Июль 2011  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Архив записей
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Ужасно
5. Плохо
Результаты | Архив опросов
Всего ответов: 543
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
    • Статистика
    Онлайн всего: 6
    Гостей: 6
    Пользователей: 0
    Главная » 2011 » Июль » 11 » Новое поколение УФ-лазеров увеличит емкость DVD
    Новое поколение УФ-лазеров увеличит емкость DVD
    		21:13

    Физикам удалось создать новый тип лазера, излучающего в ультрафиолете. Область его возможных применений простирается от биологии до хранения данных. 
     
    Полупроводниковые лазеры (на основе нитрида галлия) уже применяются на практике. Но их широкому распространению мешает несколько вещей: большой размер, стоимость и потребляемая энергия.
     
     
     
     
    Профессору Джианлину Лиу (Jianlin Liu) и его коллегам удалось создать ультрафиолетовый лазер по новой технологии с применением цинк-оксидных нанопроводов. Такие лазеры оказались лучше по всем параметрам, включая цену и потребляемую энергию. Также стали доступны и более короткие длины волн.

    Для того, чтобы сделать p-n переход, лежащий в основе полупроводниковых лазеров, нужны материалы двух типов: "положительного" для р-слоя и "отрицательного" для n-слоя. До сих пор на нанопроводах из оксида цинка не удавалось создать p-слой, но у Лиу это получилось. Для этого оказалось достаточным лигировать ("пропитать") нанопровода сурьмой.

    Соединив такой материал p-типа с материалом n-типа (также на основе нанопроводов из оксида цинка) ученым удалось создать узконаправленный лазерный луч. Об этом они сообщают в статье, вышедшей в Nature Nanotechnology.

    Как признается Лиу, для того чтобы достичь надежной работы такого лазера, нужно еще немало потрудиться. А возможных применений у данной технологии масса.
     

    p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому.



    Читайте на CNews
    http://www.rnd.cnews.ru/tech/news/top/index_science.shtml
     
    Просмотров: 546 | Добавил: Freyja |
    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]